SIMM (англ. Single In-line Memory Module — модуль пам'яті з однорядним розташуванням виводів) — форм-фактор модулів пам'яті DRAM. В модулях використовувалися мікросхеми пам'яті FPM, EDO і BEDO (Burst-EDO).
Конструктивною особливістю модулів є те, що у них з'єднано між собою контакти, розташовані один навпроти одного на протилежних сторонах плати. По такій парі контактів передається один і той же сигнал. Мікросхеми в модулях SIMM можуть встановлюватися як на одній, так і на обох сторонах плати.
Використання 30-контактних модулів в системах з 64-бітною шиною пам'яті неефективно, оскільки для заповнення одного банку пам'яті 64-розрядних систем необхідно вісім таких модулів. Для заповнення одного банку пам'яті в 64-розрядних системах 72-контактні SIMM необхідно встановлювати парами. В таких системах модулі SIMM було витіснено 64/72-бітними модулями DIMM.
![]() |
Вікісховище має мультимедійні дані за темою: SIMM |
![]() |
Це незавершена стаття про інформаційні технології. Ви можете допомогти проєкту, виправивши або дописавши її. |
|